逻辑器件
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完整规格
基本信息
| 制造商 | Micron Technology (镁光) |
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8
| 产品型号 | MT29F2G08ABAGAWP |
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11
| 产品类型 | NAND Flash Memory |
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14
| 存储技术 | SLC (Single-Level Cell) |
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存储特性
| 存储密度 | 2 Gb (2 Gigabit) |
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21
| 存储组织 | 256M x 8-bit |
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24
| 页大小 | 2,112 Bytes (2048 + 64 Spare) |
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27
| 块大小 | 128 KBytes (64 Pages) |
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30
| 总块数 | 2,048 Blocks |
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33
| 数据保持时间 | > 10 Years |
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36
| 写入耐久性 | 100,000 P/E Cycles |
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性能参数
| 接口类型 | Parallel (Async/Sync) |
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43
| 随机读取时间 | 25 µs |
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46
| 页编程时间 | 200 µs (Typical) |
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50
| 块擦除时间 | 500 µs (Typical) |
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54
| 读/写周期时间 | 20 ns (3.3V) |
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电源与功耗
| 供电电压 | 2.7 V to 3.6 V (Nominal 3.3V) |
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61
| 输入输出电压 | 2.7 V to 3.6 V |
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64
| 工作电流 | ~30 mA (Read) |
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封装与环境
| 封装 | 48-pin TSOP Type I |
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71
| 尺寸 | 12mm x 18.4mm |
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74
| 安装方式 | Surface Mount (SMD/SMT) |
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77
| 工作温度 | -40°C to +85°C (Industrial) |
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其他特性
| 特性 | ONFI 1.0 Compliant, Hardware Write Protect (WP#), Ready/Busy# Output |
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84
| 应用领域 | Industrial Control, Automotive Electronics, Set-top Boxes, SSDs |
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